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D램

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삼성전자, LPDDR D램 기반 7.5Gbps LPCAMM 업계 최초 개발 삼성전자가 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 LPDDR D램 기반 7.5Gbps LPCAMM(Low Power Compression Attached Memory Module)을 업계 최초로 개발했다. ※ LPDDR(Low Power Double Data Rate): 스마트폰, 태블릿, 노트북 등 모바일 장치 등에 탑재되는 저소비전력 D램 ※ Gbps: Gigabit per second (1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터) LPCAMM은 LPDDR 패키지 기반 모듈 제품으로, 기존 DDR 기반 So-DIMM 대비 성능·저전력·디자인 효율성 측면에서 기술 혁신을 이뤄내며 차세대 PC·노트북 시장에 새로운 폼팩터 패러다임을 제시할 것으로 기대된다. ※ So-DIMM(Small Outline Dual ..
40년만에 D램 용량 50만배 늘린, 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발 삼성전자가 업계 최초 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발했다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다. 특히, 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량 구현하여, 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작 가능하게 되었다. * 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 ..
고성능·저전력, 업계 최초 삼성 LPDDR5X D램 개발 ‘LPDDR5X (Low Power Double Data Rate 5X)’를 업계최초로 개발했다. 삼성전자의 14나노 LPDDR5X는 한층 향상된 ‘속도·용량·절전’ 특성으로 5G, AI, 메타버스 등 폭발적으로 성장하고 있는 미래 첨단 산업에 최적화된 메모리 솔루션이다. 삼성전자는 2018년 세계 최초 8Gb LPDDR5 D램을 개발한 데 이어, 이번 업계최초 LPDDR5X 개발을 통해 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다. LPDDR5X의 동작 속도는 현존하는 모바일 D램 중 가장 빠른 최대 8.5Gbps로 이전 세대 제품인 LPDDR5의 동작속도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다. 또한 삼성전자는 이번 제품에 업계 최선단 14나노 공정을 적용해 용량과 소비전력 효율에서 차별화된 경..
삼성전자, 업계 최초 D램에 ‘EUV 공정’ 적용 양산 체제 삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다. 삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급하여 글로벌 고객의 평가를 완료했다. 이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 ‘EUV 공정’을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다. EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다. 삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14..
삼성전자, 차세대 슈퍼컴퓨터와 AI 기반 초고속 D램 출시 삼성전자가 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 기반 초고속 데이터 분석에 활용될 수 있는 초고속 D램, ‘플래시볼트(Flashbolt)’를 출시했다. ‘플래시볼트’는 16기가바이트(GB) 용량의 3세대 HBM2E(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory 2 Extended) D램으로 기존 2세대 대비 속도와 용량이 각각 1.3배, 2.0배 향상됐다. * HBM : 고대역폭 메모리로, TSV 기술을 적용해 기존의 금선을 이용한 일반 D램 패키지에 비해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품 삼성전자는 2세대 8GB HBM2 D램 ‘아쿠아볼트(Aquabolt)’를 세계 최초로 개발해 업계에서 유일하게 양산한 지 2년만에 3세대 HBM2E D램 ‘플래시볼트’를 출시하며 차세대 프..
삼성전자, 업계 최초 ‘12단 3D-TSV(3차원 실리콘 관통전극)’ 기술 개발 삼성전자가 업계 최초로 ’12단 3D-TSV(3차원 실리콘 관통전극, 3D Through Silicon Via)’ 기술을 개발하고 패키징 기술에서도 초격차를 이어간다. ’12단 3D-TSV’는 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의 1수준인 수 마이크로미터 직경의 전자 이동 통로(TSV) 6만개를 만들어 오차 없이 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 이 기술은 종이(100㎛)의 절반 이하 두께로 가공한 D램 칩 12개를 적층해 수직으로 연결하는 고도의 정밀성이 필요해 반도체 패키징 기술 중 가장 난이도가 높은 기술이다. ‘3D-TSV’는 기존 와이어 본딩(Wire Bonding) 기술보다 칩들 간 신호를 주고받는 시간이 짧아져 속도와 소비전력을 획기..
삼성전자, 차세대 서버용 NVMe SSD·D램 모듈 RDIMM, LRDIMM 양산 삼성전자가 PCIe 4.0인터페이스 기반의 고성능 NVMe SSD 'PM1733' 라인업과 고용량 D램 모듈 RDIMM, LRDIMM을 본격 양산했다. 'PM1733'과 고용량 D램 모듈은 AMD의 2세대 EPYC™ 프로세서(7002)와 함께 신규 서버에 탑재될 예정이다. 'PM1733'은 PCIe 4.0 인터페이스를 지원해 NVMe SSD(카드타입)에서 연속 읽기 8,000MB/s, 임의 읽기1,500,000 IOPS(초당 입출력 작업 처리 속도)를 구현한 역대 최고 성능의 제품으로 기존 PCIe 3.0 인터페이스 SSD 보다 성능이 두 배 이상 향상됐다. 이 제품은 5세대 512Gb 3비트 V낸드를 탑재해 두 가지 타입으로 양산되며, U.2 타입에서 최대 30.72TB(테라바이트), HHHL 타입에서..

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