차세대 트랜지스터 GAA 기술 적용, 3나노 파운드리 제품 출하식 개최
삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 이 날 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다. ※ 대덕전자 김영재 대표이사, 동진쎄미켐 이준혁 대표이사, 솔브레인 정현석 대표이사, 원세미콘 김창현 대표이사, 원익IPS 이현덕 대표이사, 피에스케이 이경일 대표이사, 케이씨텍 고상걸 부회장, 텔레칩스 이장규 대표이사 삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’라는 자신감과 함께, 3나노 GAA 공정 ..
