AI 시대를 이끌 ‘36GB HBM3E 12H D램’ 개발…고용량 HBM 시장 선점

삼성전자가 업계 최초로 36GB HBM3E 12H D램 개발에 성공했습니다. 이로써 고용량 HBM 시장을 선도하고 AI 플랫폼의 성능과 효율성을 향상시킬 수 있게 되었습니다. 삼성전자는 이번 제품을 통해 기술 혁신과 성능 향상을 이끌어 나갈 것으로 기대됩니다.

 

▲ HBM3E 12H D램 제품 이미지

업계 최초 36GB 용량 및 12단 적층

삼성전자는 삼성전자는 24Gb D램 칩을 TSV 기술로 12단까지 적층하여 36GB HBM3E 12H를 성공적으로 구현했습니다. 이로써 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공하며, AI 플랫폼의 성능 향상에 기여하고 있습니다.

• 24Gb D램 칩 12단 적층으로 구현
• 전작 HBM3 8H 대비 용량 50% 증가 (3GB x 8 vs 3GB x 12)
• TSV 기술 적용으로 칩 사이 전기적 연결

압도적인 성능

• 초당 최대 1,280GB 대역폭 제공 (HBM3 8H 대비 50% 증가)
• 1,024개 I/O 통로, 초당 10Gb 속도 지원
• 30GB UHD 영화 40여편 1초 업/다운로드 가능

동일 높이 유지 및 7μm 칩간 간격

• 'Advanced TC NCF' 기술 적용으로 8H 제품과 동일 높이 유지
• 업계 최소 7μm 칩간 간격 구현
• HBM 패키지 규격 만족 및 고단 적층 확장 가능

AI 시대의 핵심 솔루션

HBM3E 12H는 초당 최대 10Gb 속도를 지원하여 초당 1,280GB를 처리할 수 있어, 대용량 데이터를 신속하게 처리할 수 있습니다. 또한, AI 학습 훈련 속도를 평균 34% 향상시키고, 추론의 경우 최대 11.5배의 성능 향상을 이끌어냅니다.

• AI 서비스 데이터 처리량 증가에 대응
• AI 플랫폼 성능 향상 및 TCO 절감 기여
• GPU 사용량 감소, 리소스 관리 유연화

 

기대 효과

• 서버 시스템 적용 시 AI 학습 훈련 속도 34% 향상
• AI 사용자 서비스 최대 11.5배 증가 가능

삼성전자의 36GB HBM3E 12H D램 개발 성공은 HBM 시장 선점을 위한 중요한 발걸음이 될 것으로 기대됩니다. 혁신적인 기술력으로 업계를 선도하는 삼성전자의 앞으로의 행보가 더욱 기대됩니다.

 

 

출처 : 삼성전자

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