10나노급 1c DDR5 D램, SK하이닉스의 혁신적 개발

SK하이닉스는 메모리 반도체 분야에서 기술 혁신을 거듭하며, 이번에는 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 DDR5 D램을 성공적으로 개발했습니다. 이 기술은 현재까지 업계에서 가장 앞선 성능을 자랑하는 1b D램을 기반으로 하여 개발되었으며, 차세대 데이터센터와 AI 시장에서 큰 가치를 제공할 것으로 기대됩니다. 이번 글에서는 이 획기적인 기술 개발의 배경과 의미에 대해 살펴보겠습니다.

 

▲ 10나노급 6세대 D램 1c DDR5

1b 플랫폼 확장을 통한 1c 개발

SK하이닉스는 1b D램 플랫폼을 확장해 1c D램을 개발했습니다. 이 과정에서 기존 기술의 강점을 최대한 유지하면서도 공정의 안정성을 극대화할 수 있었습니다. 특히, 미세공정 기술의 한계를 돌파하기 위해 설계 완성도를 높였으며, 이를 통해 세계 최초로 10나노급 1c 미세공정 기술을 상용화하는 데 성공했습니다. 이로 인해 향후 1c DDR5는 시장에서 높은 경쟁력을 가질 것으로 기대됩니다.

EUV 공정 최적화와 신소재 적용

SK하이닉스는 EUV 공정의 최적화를 위해 신소재를 개발하고 이를 특정 공정에 적용했습니다. 이러한 노력을 통해 생산 공정의 효율성을 극대화하고, 원가 경쟁력을 확보할 수 있었습니다. EUV 공정은 반도체 미세화의 핵심 요소로, 공정 최적화와 신소재 적용을 통해 생산성을 30% 이상 향상시키는 성과를 거두었습니다. 이로써 SK하이닉스는 업계에서 기술 리더십을 더욱 확고히 할 수 있게 되었습니다.

성능 향상 및 전력 효율 개선

1c DDR5 D램은 이전 세대 대비 11% 빠른 동작 속도를 자랑하며, 전력 효율 또한 9% 이상 개선되었습니다. 이러한 기술 혁신은 데이터센터 운영 비용을 크게 줄일 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. 특히, AI와 클라우드 서비스의 확산에 따라 데이터센터의 전력 소비가 급증하는 상황에서, 1c DDR5는 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있어 고객들에게 큰 경제적 이익을 제공할 것입니다.

 

• HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4)-7세대(HBM4E) 순으로 개발
• LPDDR: 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압 동작 특성을 갖고 있음. 규격명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X-6 순으로 개발됨.
• GDDR(Graphics DDR): 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭. 그래픽을 빠르게 처리하는 데 특화한 규격으로, 3-5-5X-6-7로 세대가 바뀌고 있음. 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며, 최근에는 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목받고 있음.

맺음말

SK하이닉스의 1c DDR5 D램 개발은 메모리 반도체 시장에서 중요한 이정표가 될 것입니다. 이 기술이 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 다양한 D램 제품군에 적용되면, 글로벌 고객들에게 차별화된 가치를 제공할 수 있을 것입니다. SK하이닉스는 앞으로도 지속적인 혁신을 통해 메모리 솔루션 시장에서 선두 자리를 지켜나갈 것입니다.